МИНОБРНАУКИ РОССИИ
федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего образования
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
К КУРСОВОЙ РАБОТЕ
Вариант № 21
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Дисциплина
Информатика
------------------------------------------------------------------------------------------------------
для подготовки бакалавров по направлению
«Электроэнергетика и электротехника»
Профиль подготовки
«Электропривод и автоматика»
Факультет Электротехники и автоматизации
| Выполнил: | Студент группы 5402 |
| Марченко В.Д. Ф.И.О. подпись | |
| Проверил: | |
| Пожидаев А. К. Ф.И.О. подпись « » 2015г. |
Санкт-Петербург
Студентка: Марченко В.Д.
Группа: 5402
Тема работы:решение математических задач с использованием математического пакета "MathCAD".
Исходные данные:
Даныфункцииf(x) = √3sin(x) + cos(x) и g(x) = cos(2∙x + π/3) – 1
Решить уравнение f(x) = g(x).
Исследовать функцию h(x) = f(x) – g(x) на промежутке [0; (5∙π)/6].
Найти коэффициенты кубического сплайна, интерполирующего данные, представленные в векторах Vx и Vy.
Построить на одном графике: функцию f(x) и функцию f1(x), полученную после нахождения коэффициентов кубического сплайна.
Представить графическое изображение результатов интерполяции исходных данных различными методами с использованием встроенных функций cspline(Vx,Vy), pspline(Vx,Vy), lspline(Vx,Vy) и interp(Vk,Vx,Vy,x).
Решить задачу оптимального распределения неоднородных ресурсов.
На предприятии постоянно возникают задачи определения оптимального плана производства продукции при наличии конкретных ресурсов (сырья, полуфабрикатов, оборудования, финансов, рабочей силы и др.) или проблемы оптимизации распределения неоднородных ресурсов на производстве.
Содержание пояснительной записки:
«Оглавление», «Введение», «Список обозначений и сокращений», «Вывод по курсовой работе», «Список используемой литературы».
Предполагаемый объем пояснительной записки:
Не менее 33 страниц.
Дата выдачи задания: 04.09.2015
Дата сдачи курсовой работы:
Дата защиты курсовой работы:
| Студентка | Марченко В.Д. |
| Преподаватель | Пожидаев А.К. |
С помощью математического пакетаMathcad в данной курсовой работе были выполнены:
Решение заданного уравнения и исследование функции;
Алгоритм нахождения коэффициента кубического сплайна, интерполирующего данные;
Метод решения задачи по оптимальному распределению неоднородных ресурсов.
Работа выполнена с использованием элементарных функции Mathcad, таких как solve, root,maximizeи некоторые другие.
studfiles.net
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
_____________________________________________________________
П Р О Г Р А М М А
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ
ПРОФЕССОРСКО-ПРЕПОДАВАТЕЛЬСКОГО СОСТАВА
24 января 4 февраля
Санкт-Петербург
Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
2012
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет «Л Э Т И»
приглашает Вас принять участие
в 65-й научно-технической конференции.
Конференция будет проходить с 24 января по 4 февраля 2012 года.
Открытие конференции - 24 января в 11 часов в актовом зале (корп. 3).
^ Адрес университета: Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5.
Транспорт: метро – ст. «Петроградская»,
авт. 128, трол. 31 (остановка – «ул. Профессора Попова»).
Справки по тел.: 346-46-37
^ ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ 24 января, 11 часов, актовый зал 3 корпуса
Вступительное слово ректора СПбГЭТУ проф. В.М. Кутузова
Пленарные доклады^ Секция ИСТОРИИ НАУКИ И ТЕХНИКИ Руководитель секции – д-р техн. наук, проф. В.М. Кутузов
Зам. руководителя секции д-р техн. наук, проф. Ю.М. Таиров
Секретарь секции – канд. техн. наук, с.н.с. Л.И. Золотинкина
^ 25 января, 11 часов, Мемориальный музей-квартира А.С. Попова
Организатор промышленности и высшего технического образования Вениамин Иванович Смирнов (к 100-летию со дня рождения).
И.Г. Мироненко
Профессор Владимир Алексеевич Гуров (1892-1947) радиоинженер, специалист в области телевидения, радиолокации и инфракрасной техники.
В.П. Ипатов
Профессор Николай Николаевич Разумовский (1902 – 1976) специалист в области приборостроения, историограф ЭТИ – ЛЭТИ.
О.Г. Вендик
Профессор Александр Евгеньевич Слухоцкий – один из разработчиков современной теории индукционного нагрева (к 100-летию со дня рождения).
В.Б. Демидович
Михаил Осипович Доливо-Добровольский – гений электротехники (к 150-летию со дня рождения).
^ А.Г. Микеров, А. Бутюгина (студ. гр. 6492)
Андрей Иванович Лебедев-Карманов – выпускник ЛЭТИ, один из создателей научной школы в области мощного радиотелевизионного передающего оборудования (к 100-летию со дня рождения).
Л.Б. Калинин (ОАО «МАРТ», вед. специалист)
К 125-летию академика Ильи Васильевича Гребенщикова.
И.В. Щеколдин (студ. гр. 6591)
Петр Готфридович Ганзен – один из первых преподавателей Электротехнического института (1886 – 1906).
М.А. Партала
История создания Александром Степановичем Поповым беспроволочного телеграфа на страницах научно-популярных изданий (1924 – 1943 гг.).
^ Е.В. Красникова
Один из пионеров радиотехники, первый профессор России по радиотелеграфным станциям, профессор ЭТИ – ЛЭТИ Николай Александрович Скрицкий. (К помещению портрета профессора Н.А. Скрицкого в портретную галерею выдающихся ученых ЭТИ-ЛЭТИ-СПбГЭТУ).
Л.И. Золотинкина^ СЕКЦИИ ПО НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНОМУ НАПРАВЛЕНИЮ "РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ" Секция радиосистем Руководитель секции д-р техн. наук, проф. В.М. Кутузов
Зам. руководителя секции канд. техн. наук, проф. Ю.Д. Ульяницкий
Секретарь секции аспирант Я.А. Мелехов
^ 2 февраля, 10 часов, корпус 2, кафедра РС
Статистический анализ последовательностей компонент электроэнцефалограммы.
К.Е. Громова (асп.)
Энергопотенциал навигационных радиолиний космос-Земля в диапазонах S, C, Ku.
Ф.В. Игнатьев (асп.)
Спектральная эффективность ЧМ с непрерывной фазой и частичным откликом.
Н.Б. Хачатурян (асп.)
Дальномерные сигналы нового поколения в системе GPS.
Р. Малыгин (студ. гр. 6103)
Пакет «Proteus» как средство для проектирования виртуальных моделей микропроцессорных устройств.
А.С. Васьков (студ. гр. 7101)
Создание программных моделей для дисциплины "Современное проектирование МПУ.
А.А. Пархоменко (студ. гр. 7101)
Алгоритмы вторичной обработки относительных координат.
Я.А. Мелехов (асп.)
Форматы кодирования данных в радиоинтерфейсах нового поколения GPS.
Д. Богданов (студ. гр. 6103)
Потенциальная точность измерения времени по сигналам ГНСС Galileo.
А.А. Бекентаева (студ. гр. 7102)
Последовательное обнаружение траектории.
А.А. Коновалов
Использование муравьиных алгоритмов для синтеза сигналов.
В.Н. Михайлов
Анализ бистатических диаграмм рассеяния морской поверхности при скользящем облучении.
О.А. Третьякова (асп.)
Измерение кинематических характеристик спортивных объектов.
Ю.А. Малых (асп.), А.В. Селуянова (студ. гр. 8182)
Универсальный модуль для спортивных измерений.
Ю.А. Малых (асп.), С.А. Борцук (студ. гр. 7101)
Исследование компактности представления QRS-комплексов в различных базисах.
А.А. Соколова (асп.)
Влияние двух отражений на потенциальную точность оценки радионавигационных параметров сигналов ГНСС.
^ А.А. Соколов (асп.)
Метод улучшения алгоритма последовательного декодирования сверточных кодов.
Данг Ким Нгок (асп.)^ Секция передачи, приема и обработки сигналов Руководитель секции д-р техн. наук, проф. В.Н. Малышев
Зам. руководителя канд. техн. наук, проф. А.А. Соловьев
Секретарь секции – ассистент О.А. Бабушкина
^ 2 февраля, 11 часов, корпус 2, кафедра РЭС
1. Миниатюрные фильтры на диапазоны L1 и L2 для приёмников GPS/ГЛОНАСС.
С.А. Кершис (асп.)
2. Частотный спектр разрезных кольцевых резонаторов.
С.В. Кейс (асп)
3. Анализ алгоритмов обнаружения сигналов в задачах классификации.
Д.А. Ворожищев (асп.)
4. Слепая оценка скорости передачи данных в последовательных интерфейсах.
А.С. Козлов (асп.), Д.М. Воскресенский
5. Вероятностное моделирование и классификация сетевых потоков на основе скрытых моделей Маркова.
К.А. Сухарев (асп.)
6. Постановка курсового проектирования по дисциплине «Математическое моделирование радиотехнических устройств и систем».
^ А.А. Головков, О.Т. Драк (студ. гр. 7103)
7. Опыт организации лабораторного практикума по дисциплинам «Математическое моделирование радиотехнических устройств и систем» и «Имитационное моделирование телекоммуникационных систем».
^ О.А. Бабушкина, В.П. Климентьев (студ. гр. 7103),
И.В. Лантух (студ. гр. 7103), И.Ю. Пивоваров
8. Интерактивные педагогические технологии в технических дисциплинах.
И.Р. Кузнецов, В.Н. Малышев^ Секция телевидения и видеотехники Руководитель секции д-р техн. наук, проф. Р.Е. Быков
Зам. руководителя канд. техн. наук, доц. И.А. Зубакин
Секретарь секции ассистент Е.Н. Миронова
^ 31 января, 11 часов, корпус 2, ауд. 2405
1. Ученые степени и ученые звания: время перемен?
Р.Е. Быков
2. Компетентностная модель выпускников, обучающихся по ФГОС.
Н.В. Лысенко, А.М. Мончак, А.К. Цыцулин
3. Ограничения в теории линейного кодирования.
И.А. Зубакин
4. Методы визуализации и обработки мультиспектральных данных.
С.В. Очкур (асп.)
5. Повышение эффективности измерения смещения изображения.
Д.О. Малашин (асп.)
6. Исследование эффективности алгоритмов устранения межпиксельной корреляции
Н.В. Швецов (асп.)
7. Оптимизация качества декодированных видеоданных для кодера AVC-Intra.
К.А. Малахов
31 января, 15 часов, корпус 2, ауд. 2405
1. Аналитический обзор алгоритмов идентификации изображений лиц.
В.Е. Томияма (асп.)
2. Детекция и локализация черт лица человека на изображении.
М.Ю. Хомяков (асп.)
3. Алгоритмы коррекции неравномерности параметров выходных устройств в многовыводных фотоприемниках.
П.С. Баранов (асп.), Ю.П. Мальцева (студ. гр. 6151)
4. КМОП-сенсор с потенциально возможной контрастной чувствительностью.
А.А. Манцветов, А.В. Иванова (асп.)
5. Методика определения ошибок цветопередачи устройств отображения информации.
А.В. Шорохова ^ Секция теоретических основ радиотехники Руководитель секции д-р техн. наук, проф. В.Н. Ушаков
Секретарь секции ст. преп. Д.О. Москалец
^ 30 января, 14 часов, корпус 2, кафедра ТОР, лаборатория 2233
Предельное соотношение для фидерного КПД антенны в режиме излучения негармонических сигналов.
^ А.Ю. Одинцов, М.И. Сугак
Разработка и экспериментальное исследование надувных остронаправленных антенн.
Ю.Г. Антонов, С.В. Балландович, Д.А. Калиникос, Г.А. Костиков, М.И. Сугак
Распределение вектора Умова-Пойнтинга в ближней зоне вибратора.
^ Ю.Г. Антонов, С.В. Балландович, М.И. Сугак
Математическое моделирование отражательной антенной решетки на щелевых элементах.
С.В. Балландович, Г.А. Костиков
О «механизме» комплексно-сопряженного согласования.
Ю.Е. Лавренко
31 января, 14 часов, корпус 2, кафедра ТОР, лаборатория 2233
Особенности проектирования и реализации мощных усилителей для беспроводных систем связи.
Д.Н. Зуева, А.Л. Породин
Эффективная крутизна активных элементов в усилителях мощности.
Ю.Е. Лавренко
Реализация входных цепей усилителей на мощных МОП транзисторах.
Ю.Е. Лавренко
Резонансный коммутатор СВЧ сигналов.
В.В. Некрасов (студ. гр. 6101), Р.А Самойленко.
Реализация алгоритмов быстрого преобразования Фурье на языке описания аппаратуры VHDL.
Е.Г. Шанин (студ. гр. 8182), А.В. Яковлев
1 февраля, 14 часов, корпус 2, кафедра ТОР, лаборатория 2233
Сравнительный анализ итерационных алгоритмов декодирования параллельных турбо-кодов.
А.С.Кривоногов, В.П. Клементьев (студ. гр. 7103)
Алгоритм слепой идентификации помехоустойчивого кода.
^ А.С. Кривоногов, И.В. Лантух (студ. гр. 7103)
Сравнительный анализ алгоритмов декодирования сигнально-кодовых конструкций со сверточными компонентными кодами.
А.С. Кривоногов, А.К. Ищенко (студ. гр. 8104)
Алгоритмы оценки отношения сигнал/шум для КАМ-сигналов.
П.В. Денисова, Е.А. Митянин (студ. гр. 8104)
Обзор низкоскоростных OFDM-систем.
А.В. Петров (асп.), А.Н. Филин (студ. гр. 8104)
Низкоскоростная дискретизация сигналов с цифровой модуляцией.
А.В. Осипов (студ. гр. 8104), А.Б. Сергиенко
Оценка параметров сигналов с цифровой частотной модуляцией.
А.С. Мочешников (асп), А.Б. Сергиенко^ Секция микроволновой и телекоммуникационной электроники Руководитель секции д-р физ.-мат. наук, проф. Б.А. Калиникос
Зам. руководителя секции д-р физ.-мат. наук, проф. А.Б. Козырев
Секретарь секции канд. физ.-мат. наук, доц. А.Б. Устинов
^ 26 января, 15 часов, корпус 5, ауд. 5360
1. Управляемые генераторы СВЧ динамического хаоса на основе феррит-сегнето-электрических структур.
А.В. Кондрашов, А.Б. Устинов, Б.А. Калиникос
2. Собственные моды ограниченного ферритового волновода.
Н.Ю. Григорьева, Д.А. Попов (студ. гр. 8208)
3. Точное дисперсионное уравнение для наведенного полем магнонного кристалла.
Н.Ю. Григорьева
4. Светлые солитоны огибающей электромагнитно-спиновых волн в продольно намагниченной безграничной мультиферройдной среде.
М.А. Черкасский, Б.А. Калиникос
5. Влияние амплитуды СВЧ сигнала на волноведущие свойства одномерного магнонного кристалла.
^ Г.А. Шишмакова (студ. гр. 6207), А.В. Дроздовский, Б.А. Калиникос
6. Приближенный способ расчета дисперсионных характеристик гибридных электромагнитно-спиновых волн в феррит–сегнетоэлектрических структурах.
^ А.А. Никитин (студ. гр. 9204), А.А. Никитин, А.А. Семенов
7. Исследование волновых процессов в тонкопленочных слоистых структурах феррит-сегнетоэлектрик.
^ В.В. Витько (студ. гр. 7208), А.А. Никитин, А.А. Семенов
8. Теоретическое исследование зависимости спектра мультиферроидных структур от взаимной ориентации оси анизотропии и магнитного поля смещения.
^ Н.Ю. Григорьева, Р.А. Султанов (студ. гр. 6207)
9. Наблюдение собственной модуляционной неустойчивости спиновых волн в магнонном кристалле.
А.В. Дроздовский, Б.А. Калиникос
27 января, 15 часов, корпус 5, ауд. 5360
1. МЭМС фазовращатель 5.775 ГГц для связной ФАР.
Д.М. Косьмин, И.В. Котельников, В.Н. Осадчий
2. Экспериментальное исследование перестраиваемых резонаторов на объемных акустических волнах.
А.Б. Козырев, А.К. Михайлов, С.В. Пташник (асп), С.В. Зиновьев (студ. гр. 7207)
3. Электрически управляемый СВЧ трансформатор на основе многослойной структуры с двумя пленками сегнетоэлектрика.
^ А.Б. Козырев, А.К. Михайлов,С.В. Пташник (асп), С.В. Зиновьев (студ. гр. 7207)
4. СВЧ датчик механических смещений и вибраций для систем динамического мониторинга турбинных установок, включая авиационные турбореактивные двигатели.
Д.М. Косьмин, В.Н. Осадчий, А.Б.Козырев^ Секция микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры Руководитель секции д-р техн. наук, проф. И.Г. Мироненко
Секретарь секции канд. техн. наук, доц. А.А. Иванов
^ 26 января, 12 часов, корпус 5, кафедра МИТ
1. Взаимосвязь геометрических и электродинамических параметров фрактальных антенн.
Д.А. Бабичев (асп.)
2. Влияние высокоэнергетических воздействий на характеристики подложек при формировании тонкопленочных топологий.
В.А. Тупик
3. Компьютерное моделирование процесса образования наночастиц при золь-гель синтезе.
Л.Ю. Аммон (асп.)
4. Программирование и отладка логики ПЛИС на инновационной станции Altium Designer.
В.Ю. Суходольский
5. Электрически перестраиваемые фильтры на основе связанных резонаторов.
Амро Абдулхамид Али Атия (асп.)
6. Планарные волноведущие структуры на основе слоистых наноразмерных сегнетоэлектрических пленок.
А.А. Иванов
7. Расчет схемы деления мощности для линейки планарных антенн.
А.Е. Громов (асп.)
8. Сквозной подход к преподаванию комплекса дисциплин по конструированию и технологии РЭС.
Г.В. Петрова, В.В. Румянцев, К.К. Холуянов ^ СЕКЦИИ ПО НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНОМУ НАПРАВЛЕНИЮ "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА И ЭЛЕКТРОНИКА" Секция микро- и наноэлектроники Руководитель секции – д-р техн. наук, проф. Ю.М. Таиров
Зам. руководителя секции – д-р физ.-мат. наук, проф. В.А. Мошников
Секретарь секции – канд. техн. наук, ст. преп. Е.Л. Солодовникова
^ 26 января, 13 часов, корпус 5, кафедра МНЭ
Исследование структуры и морфологии золь-гель нанокомпозитов на основе никелевых и марганцевых ферритов.
^ А.Д. Котова (студ. гр. 6261), К.Г. Гареев (асп.), И.Е. Грачева, В.А. Мошников
Золь-гель синтез нанокомпозиционных материалов системы Fe-Er-Si-O.
^ К.Г. Гареев (асп.), Т.Г. Кайралиева (студ. гр. 6281),
А.А. Шалапанов (студ. гр. 7206), И.Е. Грачева
Диагностика иерархических наноструктурированных материалов на основе оксида цинка и диоксида титана.
^ И.И. Харитонов (студ. гр. 6261), К.В. Зыгарь (студ. гр. 7206),
А.В. Ситников (студ. гр. 7206), И.Е. Грачева, А.Н. Горляк
Создание наноматериалов на основе оксидов металлов из паровой фазы.
^ Д.М. Воробьев (студ. гр. 8206), Н.Н. Исаев (студ. гр. 8206), И.Е. Грачева
Исследования влияния технологических условий на параметры пористого Al2O3.
^ Д.В. Петров (асп.), О.С. Петенко (студ гр. 7205), Е.Н. Соколова (асп.),
Ю.М. Спивак, В.В. Шиманова (студ. гр. 8206), А.А. Шемухин (асп)
Анализ и сравнение газочувствительных свойств оксидов металлов, синтезированных из растворов.
^ С.С. Карпова (асп.), А.А. Бобков (студ. гр. 8205),
К.В. Воронцова (студ. гр. 7281), В.А. Мошников
Атомно-силовая микроскопия покрытий в системе Si-Co-O.
^ М.А. Белоногова (студ. гр. 6261),
В.С. Левицкий (студ. гр. 6281), А.И. Максимов
Получение и свойства наноструктурированных материалов на основе халькогенидов свинца.
А.Н. Рахматулин (студ. гр. 6261),Е.В. Мараева (асп.), О.А Александрова
Тенденции развития производства и применения оксидно-цинковых варисторов.
Д.Б. Пинская (асп.), И.В. Саенко
Влияние подсветки на структуру пористого кремния.
П.Г. Травкин (студ. 6281), Ю.М. Спивак
27 января, 11 часов, корпус 5, кафедра МНЭ
Моделирование взаимодействия электронов с веществом методом Монте-Карло
Л.Б. Матюшкин (студ. гр. 6281), В.А. Мошников
Программирование и научные вычисления на языке Python.
Л.Б. Матюшкин (студ. гр. 6281)
Влияние поверхностных состояний на проводимость GaAs нанопроводов.
П.А. Алексеев (асп.), А.Н. Титков
Электрический контакт на интерфейсе металл электропроводящий полимер.
^ М.А. Шишов (асп.), В.А. Мошников, И.Ю. Сапурина
Влияние различных параметров на процесс локального анодного окисления.
А.В. Старцева (студ. гр. 7281), Н.В. Пермяков (асп.), А.И. Максимов
Дефектная структура монокристаллов карбида кремния, выращенных на затравках нетрадиционных ориентаций.
А.Ю. Фадеев (асп.), А.О. Лебедев
Эволюция дефектной структуры слитков карбида кремния.
^ А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров
30 января, 11 часов, корпус 5, кафедра МНЭ
1. Исследование полупроводниковых сверхрешеток методами оптической спектроскопии.
^ О.Е. Гордюшенков (асп.), О.С. Комков, А.Н. Пихтин
2. Особенности регистрации люминесценции узкозонных полупроводников методом инфракрасной фурье-спектроскопии.
Д.Д. Фирсов (асп.), О.С. Комков, А.Н. Пихтин
3. Фотоотражение дельта-легированного марганцем GaAs.
Р.В. Докичев (студ. гр. 6282), О.С. Комков
4. Ультрафиолетовые фотоприемники спектрального диапазона 200-380 нм.
И.А. Ламкин (асп.), С.А. Тарасов
5. Фотолюминесценция структур на основе InGaAs, содержащих сверх решетки.
А.В. Преснякова (студ. гр. 6282), С.А. Тарасов
6. Тест-система диагностики температурных характеристик светодиодов.
Е.А. Менькович (студ. гр. 6282), С.А. Тарасов
31 января, 11 часов, корпус 5, кафедра МНЭ
Нелинейный расчет ВАХ и адмиттанса диода в условиях большого переменного сигнала.
^ В.И. Зубков
Построение автоматизированной лабораторной работы для температурных исследований p-n диодов на базе прибора NI ELVIS.
^ И.Н. Яковлев (асп.), Г.Е. Яковлев (студ. гр. 8205)
Численный расчет коэффициента пропускания барьеров произвольной формы в наногетероструктурах. Резонансное туннелирование носителей заряда из квантовой ямы InGaAs/GaAs в приложенном электрическом поле.
^ Я.В. Копытова (студ. гр. 6282)
Электрохимическое вольт-фарадное профилирование светодиодных гетероструктур InGaN/GaN.
Д.С. Фролов (студ. гр. 6281), И.Н. Яковлев (асп.)
Расчет вывода излучения из светодиодной гетероструктуры с шероховатой поверхностью.
А.В. Барановская (студ. гр. 6282)
Расчет распределения основных носителей заряда в полупроводниках с дельта-легированными слоями.
А.С. Евсеенков (студ. гр. 8205)
Фотоэлектрические свойства наногетероструктур InGaN/GaN.
^ М.В. Барановский (асп.), Г.Ф. Глинский
Эффективные kp-гамильтонианы в гетероструктурах на основе кубических полупроводников.
М.С. Миронова (асп.), Г.Ф. Глинский
31 января, 14 часов, корпус 5, кафедра МНЭ
1. Исследование гетерофазных тонкопленочных систем, содержащих наноразмерные сегнетоэлектрические кристаллиты.
Д.А. Чигирев
Моделирование диэлектрической проницаемости композитных систем сегнетоэлектрик/полимер.
И.Д. Жабрев (студ. гр. 7283), И.М. Соколова
Особенности электронного транспорта в наноразмерных структурах на основе цирконата-титаната свинца.
^ А.А. Петров, Г.П. Крамар
Анализ влияния условий формирования гетерофазных пленок цирконата-титаната свинца на их электрофизические свойства.
^ Л.Г. Алексеева (студ. гр. 6261), Н.В. Мухин
Делители потенциала в сегментированных кремниевых детекторах для физики высоких энергий: физическая модель и радиационно стимулированные эффекты.
Н.Н. Фадеева (асп.)^ Секция микроволновой электроники Руководитель секции канд. техн. наук, доц. В.Б. Янкевич
Зам. руководителя секции д-р техн. наук, проф. С.И. Молоковский
Секретарь секции канд. техн. наук, доц. А.Д. Тупицын
^ 26 января, 11 часов, корпус 5, кафедра РТЭ, лаб. 5351
1. Разработка коаксиально-волноводных переходов 8-мм диапазона длин волн.
А.Д. Григорьев, В.В. Мещеряков (студ. гр. 7202), А.Н. Ребров (асп.)
2. Полупроводниковый малошумящий приемно-усилительный модуль 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов.
^ Г.А. Бетехтина (студ. гр. 6202), А.В. Кириллов, Д.В. Ломовцев (студ. гр. 6202), В.А. Смирнов, А.А. Усов (асп.)
3. Применение синтезатора частот для удержания девиационной разности частот генератора микроволнового модуля К-диапазона.
А.В. Брюхов (асп.)
4. Построение нелинейных моделей полевых СВЧ транзисторов по результатам измерений.
А.А. Смирнов (асп.)
5. Разработка широкополосной антенны для сотового телефона.
А.Д. Григорьев, А.Д. Тупицын.
6. Исследование характеристик быстродействующего карбидокремниевого диода.
А.Б. Серков (студ. гр. 6202), Ф.Б. Серков (асп.), Б.В. Иванов
7. Управляемый фильтр для терагерцового диапазона частот.
М.А. Одит
8. Уменьшение теплового сопротивления вертикально излучающего лазера с помощью методов численного моделирования.
В.Г. Тихомиров
9. Исследование возможностей оптимизации параметров тестовых вариантов конструкций вертикально излучающих лазеров с помощью ПП «Synopsys».
^ А.А. Архипов (студ. гр. 7202), К.С. Клеченов (студ. гр. 7202), А.Е. Синев, В.Б. Янкевич
10. Удалённый доступ к уникальному комплексу Helios Nanolab 400 сверхпрецизионной обработки материалов остросфокусированным ионным пучком.
^ А.С. Иванов
27 января, 11 часов, корпус 5, кафедра РТЭ, лаб. 5351
1. Разработка методики измерения диэлектрических параметров сыпучих материалов, подвергаемых микроволновому нагреву.
В.А. Иванов, Я.В. Поповченко
2. Анализ особенностей построения и функционирования систем управления в промышленных установках микроволнового нагрева.
В.А. Иванов, Д.С. Сидоренко
3. Презентация рукописи учебника для вузов «Микроволновая электроника».
В.А. Иванов, С.И. Молоковский
4. О готовности кафедры к аккредитации.
Б.В. Иванов, В.Б. Янкевич.
5. Опыт проведения практических занятий по дисциплине «Микроволновая вакуумная и плазменная электроника» нового учебного плана подготовки магистров.
^ С.И. Молоковский
6. Опыт проведения практических занятий по дисциплине «Электродинамика микроволновых устройств телекоммуникаций» нового учебного плана подготовки магистров.
А.Д. Григорьев^ Секция электронных приборов Руководитель секции д-р техн. наук, проф. Ю.А. Быстров
Зам. руководителя секции канд. техн. наук, доц. В.Т. Барченко
Секретарь секции ассистент Д.К. Кострин
^ 26 января, 11 часов, корпус 5, кафедра ЭПУ, ауд. 5173
1. О задачах коллектива кафедры по подготовке к лицензированию.
Н.Н. Потрахов
2. Об опыте проведения курсового проектирования по дисциплине «Вакуумные и плазменные приборы и устройства» для магистров.
В.Т. Барченко
3. Итоги стратегического партнерства кафедры ЭПУ с организациями Санкт-Петербурга в 2011 г.
Ю.А. Быстров, Н.Н. Потрахов, В.В. Черниговский
4. Формирование программ направления «Электронные приборы и устройства» в соответствии с ФГОС-3 на кафедре ЭПУ.
А.Ю. Грязнов
5. Моделирование распределения толщины покрытия, полученного в цилиндрическом магнетроне.
Е.А. Петрова (студ. гр. 6203)
6. Опыт модернизации течеискателя «Гелин».
А.И. Бухштаб, М.Л. Виноградов (асп.)
7. Моделирование канала подачи пробы к сенсору в течеискателе «Гелин».
М.Л. Виноградов (асп.)
8. Источник быстрых нейтралов на базе разряда с полым катодом.
А.А. Жаров (асп.)
9. Условия горения магнетронного разряда в присутствии потока кластеров металла.
Н.В. Крупович (асп.)
10. Плазменные источники ионов на базе разрядов с двойным контрагированием.
В.Т. Барченко, О.Л. Вересов
11. Особенности измерения высокого напряжения в условиях мощных электромагнитных помех.
Д. К. Кострин, А.А. Ухов, Д.И. Шишов (студ. гр. 6203)
12. Многоканальная ультразвуковая система измерения профиля объекта.
А.В. Турубаров (студ. гр. 6203), А.А. Ухов
13. Система беспроводного подключения датчиков к ПК.
Д.А. Самоделкин (студ. гр. 6203), А.В. Турубаров (студ. гр. 6203)
14. Исследование возможностей беспроводной передачи данных с помощью блутус передатчиков.
^ Д.К. Кострин, Ю.С. Матюшова (студ. гр. 7203)
15. Методы обработки и повышения качества рентгеновских снимков.
А.Ю. Грязнов, О.В. Егорова (студ. гр. 8203), М.С. Попова (студ. гр. 1203)
26 января, 14 часов, корпус 5, кафедра ЭПУ, ауд. 5173
1. Система электромагнитной фокусировки для микрофокусной рентгеновской трубки
В.Б. Бессонов (асп.)
2. Перспективы использования микрофокусной рентгенографии в маммологии.
К.К. Жамова (асп.)
3. Псевдообъемная микрофокусная рентгенография в ортопедии.
Е.В. Васильева (студ. гр. 7203), А.Ю. Грязнов
4. Модернизация портативного рентгенодиагностического аппарата «Пардус-Стома».
Е.Н. Потрахов (асп.)
5. Модернизация системы управления анодным током для высоковольтного источника питания рентгеновской трубки.
А.А. Ильин (студ. гр. 6213)
6. Разработка методики рентгенофлуоресцентного анализа марганцевых руд.
А.Ю. Грязнов, Ю.В. Козлова (студ. гр. 6213)
7. Разработка блока регистрации рентгенофлуоресцентного сепаратора.
П.И. Колков (студ. гр. 6213)
8. Разработка установки для исследования импульсных режимов работы газосветных ламп.
А.В. Кротов (студ. гр. 6213), В.В. Черниговский
9. Оптимизация устройства управления доплеровским модулятором мессбауэровского спектрометра.
^ Е.А. Лебедева (студ. гр. 6213)
10. Разработка установки для контроля пространственного распределения излучения газосветных фотолитографических ламп.
Н.А. Менькович (студ. гр. 6213), В.В. Черниговский
11. Установка для исследования характеристик тлеющего разряда с протяженным положительным столбом.
^ М.С. Печерская (студ. гр. 6213), Е.А. Смирнов
12. Исследование влияния технологических факторов на процесс субмикронной проекционной фотолитографии в производстве фоточувствительных приборов с зарядовой связью.
К.С. Нечаев (студ. гр. 6213)
13. Формирование углеродных покрытий из плазмы дугового разряда.
А.В. Невейкин (студ. гр. 6213), Д.М. Репеева (студ. гр. 7203)
14. Расчет режимов работы генераторной лампы.
А.А. Лисенков, Ю.С. Сергеев (студ. гр. 6213)
15. Управление движением плазменного потока магнитным полем.
А.С. Максимов (студ. гр. 6203)^ Секция электронной техники Руководитель секции генеральный директор ОАО «Светлана»,
канд. техн. наук В.В. Попов
Зам. руководителя секции доц. А.К. Шануренко
Секретарь секции канд. техн. наук, доц. Д.М. Беневоленский
^ 1 февраля, 10 часов учебный корпус АО «Светлана»
1. Разработка новых учебных планов бакалавров очно-заочной и заочной форм обучения по направлению 210100 («Электроника и наноэлектроника») по ФГОС.
В.В. Попов, А.К. Шануренко, С.М. Мовнин
2. Разработка учебно-методического комплекса по дисциплине «Микро- и наноэлектроника».
^ О.В. Александров, С.А. Высоцкая
3. Опыт проведения на ОАО «Светлана» занятий среди абитуриентов, поступающих на вечернюю и заочную формы обучения в СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
^ Д.М. Беневоленский, А.К. Шануренко
4. Разработка и реализация программы «Перспективные направления электронного приборостроения» по повышению квалификации сотрудников ОАО «Светлана».
А.К. Шануренко
5. Опыт проведения семинарских занятий по дисциплине «Физика твердого тела».
С.М. Мовнин
1 февраля, 14 часов, учебный корпус ОАО «Светлана»
1. Разработка технологии изготовления кремниевых электродов для микротопливных элементов.
А.Д. Смирнов
2. Создание моноблочного излучателя на основе разборной металлокерамический рентгеновской трубки.
Е.И. Волостных
3. Особенности процессов скоростной модуляции и группирования вращающихся релятивистских электронных потоков.
Д.М. Беневоленский, С.М. Мовнин
4. Влияние условий термического окисления на радиационную стойкость МОП-структур.
С.А. Высоцкая, В.С. Смирнов (студ. гр. 6862)
5. Расчет электрического поля в МОП-структурах, подвергнутых ионизирующему облучению.
^ О.В. Александров, В.С. Журкин (студ. гр.6862)
6. Особенности технологии изготовления тонкобазных p-i-n диодов с использованием мембран большой площади.
А.Д. Смирнов ^ Секция технологии пленочных структур Руководители секции д-р техн. наук, проф. В.И. Шаповалов,
канд. техн. наук, доц. А.В. Тумаркин
Секретарь секции аспирант В.В. Плотников
^ 26 января, 15 часов, корп. 5, кафедра ФЭТ
1. Зависимость компонентного состава пленок титаната бария-стронция от температуры осаждения.
А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, К. Кузьмина (студ. гр. 7207)
2. Высокотемпературная обработка как способ уменьшения медленных релаксационных явлений в сегнетоэлектрических пленках.
^ А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, А. Вайгачев (студ. гр. 9209)
3. Надежность планарных конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция.
А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, Е.Р. Тепина (асп.), В.Д. Дразнин
4. Пленки титаната стронция для плоскопараллельных конденсаторных структур.
^ А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, А. Вайник (студ. гр. 7207)
5. Буферные слои оксида магния для многослойных пленочных структур на основе сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция.
^ А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, А. Костенко (студ. гр. 6207)
6. Аномальная диэлектрическая проницаемость сверхтонких сегнетоэлектрических пленок.
Д.В. Велькин (асп.), П.Ю. Белявский, А.А. Никитин, А.А. Семенов
7. Кристаллические фазы в пленках оксида тантала.
В.В. Плотников (асп.)
8. Осаждение пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления.
А.Е. Комлев
9. Кристаллизация в пленках оксида вольфрама.
А.А. Комлев (студ. гр. 9205), А.Е. Комлев
10. Исследование процесса формирования омических контактов к полупроводниковым гетероструктурам на основе нитрида галлия.
К.М. Крупальник (асп.)
11. Высокоскоростное плазмо-химическое травление кварца.
Н.А. Корнилов (асп.)
12. Пленки оксида вольфрама в электронике.
В.И. Шаповалов ^ Секция нанотехнологии и микросистемной техники Руководитель секции д-р техн. наук, проф. В.В. Лучинин
Зам. руководителя канд. физ.-мат. наук, доц. В.А. Ильин
Секретарь секции канд. физ.-мат. наук, доц. А.В. Корляков
^ 30 января, 10 часов, корпус 5, ауд. 5157, ЦМИД
1. Перспективы развития работ в области нанотехнологии и микросистемной техники.
В.В. Лучинин
2. Параметрические преобразователи в микросистемной технике.
А.В. Корляков
3. Разработка миниатюрных навигационных блоков на основе ЭКБ МЭМС.
О.С. Бохов
4. Зондовая диагностическая система для контроля скрытых полостей.
А.Н. Горляк, Н.М. Гладченко (студ. гр. 8304), В.И. Тихомиров (студ. гр. 9201), В.А. Орлов
5. Расширение динамического диапазона волоконно-оптических датчиков интерферометрического типа.
Т.Д. Коцюбинский (асп.), Д.А. Данилов, С.С. Комиссаров, К.А. Сергушичев (студ. гр. 6283)
6. Оптимизация параметров мембранных преобразователей.
Е.М. Устинов, А.В. Корляков
7. Моделирование и оптимизация струнных преобразователей.
В.Е. Каленов (асп.), А.В. Корляков
8. Исследование условий возникновения механических напряжений в тонких металлических пленках.
О.Н. Асташенкова (асп.), А.В. Корляков
9. Подготовка кристаллов кремниевых интегральных схем для анализа электрофизических параметров методами зондовой микроскопии.
^ М.А. Усикова
^ Подсекция «Элементы силовой полупроводниковой электроникии методы нанотехнологии» 30 января, 14 часов, корпус 5, ауд. 5157, ЦМИД
1. Структуры полевых транзисторов с управляющим p-n –переходом на основе 4H-SiC. Требования к техпроцессам и параметрам материалов.
А.В. Афанасьев
2. Быстровосстанавливающиеся 4H-SiC диоды с p-базой. Особенности конструкции и электрофизических параметров и характеристик.
А.В. Афанасьев, В.А. Ильин
3. Технология формирования мезаструктур для быстровосстанавливающихся 4H-SiC диодов методом РИПТ.
А.В. Серков (асп.)
4. Характеризация силовых диодных структур на основе Si и 4H-SiC методами сканирующей зондовой микроскопии
Е.Н. Севостьянов (асп.), В.А. Ильин
5. Моделирование динамических и статических характеристик p+-p-n+ - 4H-SiC диодных структур.
П.С. Пушин (студ. гр. 6261)
6. Принципы измерений и результаты исследований импульсных характеристик карбидокремниевых диодов в субнаносекундном диапазоне.
С.С. Комиссаров
7. Влияние параметров процесса анодирования на структуру и свойства пористого кремния.
Е.А. Соколова (асп), А.А. Романов
8. Модернизация установки синтеза углеродных нанотрубок УНТ-2.
А.А. Романов, Е. Осачев (студ.)
9. Ограничения метода молекулярного наслаивания при наномодификации поверхности
А.А. Романов ^ Секция квантовой и оптической электроники Руководитель секции – д-р техн. наук, проф. В.П. Афанасьев
Секретарь секции – канд. тех. наук, доц. Г.А. Коноплев
^ 1 февраля, 10 часов, корпус 5, кафедра КЭОП
1. Исследование электрофизических свойств наноструктурированных пленок цирконата-титаната свинца.
Е.Г. Лобанова (студ. гр. 7293), Н.В. Мухин
2. Исследование слоев и структур тонкопленочных солнечных элементов на основе кремния.
О.И. Банник (студ. гр. 6293)
3. Исследование возможности применения лазерного излучения для очистки и модификации поверхности контактных деталей.
Р.П. Гирин (студ. гр. 6293), А.А. Малащенко
4. Микрорезонаторы на основе решетки кремниевого двумерного фотонного кристалла.
Д.А. Костенко (студ. гр. 6293), Е.В. Астрова
5. Исследование параметров преобразования основного излучения твердотельного лазера во вторую гармонику.
П.И. Макаров (студ. гр. 6293), И.В. Глухих
6. Исследование оптических и электрофизических свойств органо-неорганических композиционных материалов.
^ В.А. Максимов (студ. гр.6293), В.П. Афанасьев
7. Технология лазерного скрайбирования при производстве двухкаскадных тонкопленочных солнечных элементов на основе кремния.
Д.Н. Редька (студ. гр.6293), В.П. Афанасьев
8. Исследование светоиндуцированных процессов в системе шунгит растворитель.
^ Е.А. Царева (студ. гр. 6293), Н.В. Каманина
9. Исследование люминесценции радионуклидов с целью создания аппаратуры мониторинга радиоактивных захоронений.
^ А.С. Гришканич (студ. гр. 6293), А.П. Жевлаков
10. Разработка метода дистанционной оценки загрязнения индикаторных видов растительности тяжелыми металлами.
^ И.М. Погорелов (студ. гр. 6293), А.А. Бузников
2 февраля, 10 часов, корпус 5, кафедра КЭОП
1. Новая магистерская программа «Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика»: методическое обеспечение и проблемы.
В.П. Афанасьев
2. Нанофотоника в оптическом приборостроении, медицине и лазерной технике.
И.М. Белоусова
3. Численное моделирование одномерных фотонных кристаллов с нелинейной оптической средой.
А.А. Рыжов, И.М. Белоусова
4. Влияние условий формирования гетерофазных пленок Pb(Zr,Ti)O3 – PbOx на их электрофизические и фотоэлектрические свойства.
^ Н.В. Мухин
5. Влияние состава гетерофазных тонких пленок Pb(Zr,Ti)O3 – PbOx на характеристики фотоэлектрических преобразователей конденсаторного типа на их основе.
^ В.П. Афанасьев, К.А. Федоров (асп.)
6. Исследование однокаскадных и двухкаскадных солнечных элементов на основе аморфного гидрогенизированного кремния.
^ В.П. Афанасьев, М.М. Бадрелдин-Миргхани (асп.)
7. Особенности фо
www.ronl.ru
Современное состояние ЛЭТИ как одного из ведущих вузов России обусловлено не только прозорливостью его основателей, сумевших ответить на вызов времени подготовкой квалифицированных специалистов в области телеграфии, но и последующим развитием вуза как научно-образовательного центра, работающего в самых современных направлениях науки и техники.
В создании нашего вуза и на всех его исторических этапах решающую роль играла государственная власть страны.
В Государственный Совет была представлена справка о потребности Главного управления почт и телеграфов в специалистах, которым было необходимо иметь высшее образование. Таких оказалось 672.
И в 1883 году Министром внутренних дел графом Д.А. Толстым в Государственный Совет был представлен проект Положения и Штата высшего учебного заведения под названием «Телеграфный Институт».
Министерство внутренних дел, после всестороннего обсуждения данного вопроса, пришло к следующему выводу:
«прежде всего необходимо принять во внимание, что телеграфное дело представляет особую специальность, изучение которой требует серьезной научной подготовки».
МВД остановилось на предложении об учреждении временно, на 5 ле т, особого специального учебного заведения с включением в курс только самых необходимых частей общих наук. Постоянное Положение о специальном учебном заведении предполагалось “представить через 5 лет, в течение которых будет ясна необходимость изменения в перечне и программах читаемых курсов”. Проект временного положения и штата Технического училища был представлен министром внутренних дел графом Д.А. Толстым в Государственный Совет, а 3 июня 1886 года удостоился Высочайшего утверждения. Директором Училища был назначен Н.Г. Писаревский (1821–1895), видный общественный деятель России, бывший в 1868–1885 годах инспектором Телеграфного ведомства и много потрудившийся над разработкой самого проекта и выработкой программ преподавания. Инспектором Училища был назначен чиновник особых поручений при начальнике Главного управления почт и телеграфов (ГУПиТ) Н.Н. Качалов. Для помещения Училища была приспособлена часть здания бывшего Телеграфного Департамента (Ново-Исаакиевская д.18), и 4 сентября 1886 года состоялось открытие Училища.
В сентябрьском номере за 1886 год журнал «Электричество» сообщал: «...Наконец, в четверг 4 сентября в 1 час дня это бесспорно полезное, ставящее нас в полную независимость от заграницы, училище телеграфных инженеров открыто... Несмотря на желание придать торжеству освящения и открытия скромный, чисто семейный характер, оно вышло торжественным, насколько требовал случай открытия первого в России Высшего технического училища почтово-телеграфного ведомства». Бесспорно, заслуга открытия этого, с самого начала рассматривавшегося как высшее, учебного заведения принадлежит его основателю и первому директору Николаю Григорьевичу Писаревскому.
Преподавательский состав Училища формировался в основном выпускниками Петербургского университета. Первыми из них стали профессор университета О.Д. Хвольсон, автор классического курса физики, изданного в России, Франции и Германии, и преподаватель химии, будущий профессор ЭТИ А.А. Кракау.
Результаты первых 5 лет работы Технического училища показали необходимость увеличения сроков обучения и расширения учебных программ, и 11 (23) июня 1891 г. императором Александром III был подписан указ о преобразовании Технического училища в Электротехнический институт с правом защиты дипломной работы после первого года практической работы.
В 1889 г. из числа первых выпускников были оставлены для преподавательской деятельности будущие профессора П.С. Осадчий и П.Д. Войнаровский.
В 1893 г. в институт для чтения курса электротехники был приглашен выпускник Университета М.А. Шателен, первым в России получившим звание профессора электротехники, будущий академик. С 1894 г. курс теоретической электротехники читал профессор Университета И.И. Боргман, явившись практически основателем отечественной школы теоретических основ электротехники.
После кончины Н.Г. Писаревского в 1895 г. институт возглавил Н.Н. Качалов. Под его руководством был разработан новый проект преобразования института, в котором деятельное участие приняли многие крупные ученые, профессора Университета, в том числе Управляющий Главной палаты мер и весов Д.И. Менделеев. В новом положении задачей Института определялась подготовка специалистов по всем направлениям электротехники.
4 (16) июня 1899 г. ЭТИ получил статус высшего учебного заведения с введением пятикурсного обучения, а с 12 (24) августа 1899 г. получил наименование «Электротехнический Институт Императора Александра III» . С 1900 г. выпускникам присваивалось звание инженеров-электриков.
И в начале XX века три основных направления применения электричества – электросвязь, промышленная электротехника и электрохимия - были представлены в ЭТИ.
Политику России в области развития электрической связи и использования телеграфных сетей разрабатывало Главное управление почт и телеграфов. Другого государственного учреждения, занимавшегося вопросами электротехники, у правительства России не было. После 1900 года руководителями и членами Электротехнического комитета при ГУПиТ были, в основном, выпускники и преподаватели ЭТИ. С 1906 г. председателем Электротехнического комитета ГУПиТ стал проф. Петр Семенович Осадчий. В состав Электротехнического комитета в 1912 г. в качестве постоянных членов входили выпускники ЭТИ профессора П.Д. Войнаровский, Б.Г. Евангулов, В.А. Триумфов, В.М. Нагорский и секретарь Н.А. Яблоновский.
Начало XX века ознаменовалось началом строительства комплекса зданий для Электротехнического института. В 1903 г. строительные работы были в основном завершены и состоялся перевод Института в новое здание на Аптекарском острове. Помимо аудиторных помещений Институт получил лаборатории, библиотеку и актовый зал.
В это же время, в начале 1901 учебного года, профессором кафедры физики был назначен А.С. Попов, деловые связи которого с Электротехническим институтом начались еще в 1897 г. С введением выборности на должность директора А.С. Попов в 1905 г. был избран директором ЭТИ.
За период 1901-1908 гг. в ЭТИ сложилась система образования «в области радио». Очевидно, что это были первые в России элементы системы радиотехнического образования.
Внезапная смерть А.С. Попова в январе 1906 г. не прервала сложившуюся структуру радиотехнической подготовки. Последователи А.С. Попова проф. А.А. Петровский, Н.А. Скрицкий совершенствуют структуру радиотехнического образования – в учебных планах тех лет появляются дисциплины «беспроволочный телеграф», «электрические колебания и волны», издаются учебные пособия, и в 1916 году в ЭТИ начинается подготовка студентов по специальности «радиотелеграфные станции».
В 1915 году в ЭТИ начал работу выпускник института И.Г. Фрейман, который с 1917 года до своей смерти в 1929 году становится руководителем радиотехнической специальности. Проф. И.Г. Фрейман стал одним из основателей отечественной радиотехники как инженерной науки. Среди его учеников выпускник Военно-морской академии академик АН СССР А.И. Берг, выпускники института академики АН СССР А.А. Харкевич, А.Н. Щукин, чл.-корр. АН СССР В.И. Сифоров, С.Я. Соколов и впоследствии известные ученые профессора Б.П. Асеев, М.П. Долуханов, М.И. Конторович, А.Ф. Шорин, Е.Я. Щеголев, С.И. Панфилов, В.Н. Лепешинская и многие другие. Их работы во многом определили развитие радиотехники в нашей стране.
Развитие энергетического направления в ЭТИ связано с именами профессоров П.Д. Войнаровского, В.В. Дмитриева, Г.О. Графтио, Я.М. Гаккеля и др. В 1904 г. в новом здании ЭТИ проф. П.Д. Войнаровским была оборудована первая в России высоковольтная лаборатория (200 кВ).
В 1907 г. преподавателем института стал Г.О. Графтио. С этого времени наиболее интенсивно стало развиваться энергетическое направление работ ЭТИ. Особенно ярко это проявилось в годы строительства первых тепло- и гидроэлектростанций. Уже в 1910 г. разработан проект Волховской ГЭС (разработчик и руководитель работ Генрих Осипович Графтио). В разработке плана электрификации России (ГОЭЛРО) принимали участие многие профессора и преподаватели ЭТИ. Учеными и выпускниками ЭТИ в начале XX века был выполнен ряд пионерских работ, заложивших основы проектирования гидроэлектростанций, обеспечивших возможность выполнения задач плана ГОЭЛРО.
Под руководством проф. И.В. Егиазарова (Академик Армянской АН ССР) ЭТИ явился пионером и в области электрохимии. Первым преподавателем химии в Техническом училище был ученик А.М. Бутлерова и Н.Н. Бекетова А.А. Кракау. Он первым ввел в практику обучения лабораторные занятия по химии. «Эксперимент Кракау» (как их тогда называли) перенял Технологический институт, и вскоре эта система утвердилась в высшей школе.
Электрохимия стала обязательной в подготовке инженеров-электриков, а ЭТИ дал начало русской школе электрохимии. Профессора ЭТИ, будущие академики Н.С. Курнаков, И.В. Гребенщиков, чл.- корр. АН П.Ф. Антипин, профессора А.А. Кракау, Н.А. Пушин, М.С. Максименко и ряд других добились выдающихся результатов. Достаточно сказать, что А.С. Пушин совместно с Э.Э. Дишлером и М.С. Максименко получили первый “русский алюминий” в стенах ЭТИ и разработали первый промышленный метод его получения на базе отечественных месторождений. Создание основ отечественной электрометаллургии было заложено трудами ученых ЭТИ – ЛЭТИ.
Выпускником ЭТИ проф. А.А. Смуровым была создана научная школа в области техники высоких напряжений и передачи электрической энергии. Лаборатория техники высоких напряжений, созданная А.А. Смуровым в 1920 году в ЛЭТИ, была крупнейшей в Европе. Начиная с 1932 г., лаборатория взяла на себя инициативу по разработке проектов защиты от перенапряжения электрических сетей Донэнерго, Центрэнерго, Уралэнерго.
Научные труды и практические разработки учеников А.А. Смурова, профессоров Г.Т. Третьяка, Л.Е. Машкилейсона, К.С. Архангельского, В.И. Иванова и их коллег и учеников обеспечили создание крупных энергосистем с быстродействующей защитой генераторов, трансформаторов и линий электропередач. В стенах лаборатории А.А. Смурова зародилась и отечественная школа диэлектриков и полупроводников, основателем которой стал Н.П. Богородицкий.
Организация первой в мире кафедры электропривода (1922 г.), основание отечественной школы электропривода как нового научного направления в электротехнике связаны с именем ученика проф. В.В. Дмитриева проф. С.А. Ринкевича. На базе этой кафедры в последующие годы были созданы кафедры с учетом решения задач электрификации в различных отраслях промышленности. В 1927-1929 гг. в ЛЭТИ была создана первая в стране научно-исследовательская лаборатория электропривода. Ученики профессора С.А. Ринкевича профессора А.В. Фатеев, Г.В. Одинцов, А.В. Берендеев, Б.И. Норневский, А.В. Башарин создали свои научные школы.
В 1930 году в ЛЭТИ по инициативе чл.-корр. АН СССР профессоров В.И. Коваленкова и профессора Н.А. Скрицкого создается специальность «телемеханика» и несколько позже кафедра «автоматики и телемеханики». (Зав. кафедрой профессор В.А. Тимофеев). Развитие систем управления привело к созданию первой в стране кафедры «синхронно-следящих систем» под руководством профессора Д.В. Васильева. Появившиеся несколько позже кафедры «корабельных систем управления», «электрификации и автоматизации промышленности», «автоматики и процессов управления» создали своей совокупностью мощный научно-образовательный комплекс подготовки специалистов по широкому спектру специальностей. Безусловным руководителем этого направления в течение многих лет был чел.-корр. АН СССР А.А. Вавилов.
С начала 30 годов в ЛЭТИ началась подготовка, говоря современным языком, по вычислительной технике. Первоначально специалисты обучались счетно-решающей технике, основанной на электромеханических принципах. Пройдя свой путь развития через аналоговые, цифроаналоговые вычислительные машины, кафедра «вычислительной техники» ЛЭТИ стала одной из ведущих в этой области.
Впервые в стране исследования в области электроизоляционных материалах начались в ЛЭТИ под руководством А.А. Смурова в высоковольтной лаборатории. С 30-х годов в ЛЭТИ работы были продолжены Н.П. Богородицким в направлении разработки керамических материалов для радиотехнической аппаратуры. Создание кафедры «диэлектриков и полупроводников» в 1946 году под руководством Н.П. Богородицкого послужило мощным стимулом к развитию научных работ и постановке учебного процесса в области радиоматериаловедения, а затем и микроэлектроники. Сейчас по инициативе вуза организовано направление подготовки специалистов в области наноэлектроники и нанотехнологии.
Первая электровакуумная лаборатория была создана в 1921 г. по инициативе проф. М.М. Глаголева. В 1930 году по инициативе профессоров М.М. Глаголева и А.А. Шапошникова была организована специальность «электровакуумная техника». На этом направлении появились новые кафедры, осуществлявшие подготовку по широкому кругу специальностей электронного приборостроения. Без преувеличения можно сказать, что ЛЭТИ обеспечил потребность в высококвалифицированных специалистах все ведущие предприятия нашего города.
Еще одним примером появления в ЛЭТИ первых в стране специальностей стали «ультразвуковая техника» и «высокочастотная электротермия».
Развитие электротермии в ЛЭТИ связано с деятельностью чл-корр. АН СССР В.П. Вологдина, работавшего в институте с 1924 года. В 1935 году В.П. Вологдин создал при ЛЭТИ лабораторию электротехники высоких частот, которая в 1947 году была преобразована в научно-исследовательский институт токов высокой частоты. Тогда же была учреждена новая специальность и новая кафедра “Высокочастотной техники” под руководством В.П. Вологдина. За прошедшие годы профиль подготавливаемых специалистов по кафедре изменялся с развитием техники, но и сейчас кафедра “Электротехнологической и преобразовательной техники”, преемница кафедры В.П. Вологдина, является ведущей по этим специальностям.
Одним из старейших направлений в области электромашиностроения в электротехническом институте была подготовка специалистов по электрическим машинам и аппаратам. Кафедра “Электрических машин” была организована в 1899 году. Первым ее руководителем был профессор А.А. Воронов, его сменил в 1913 году профессор Ф.И. Холуянов. Кафедра дала стране многих ведущих ученых и специалистов в области электромашиностроения.
Автором первых отечественных учебников по электрическим машинам стал проф. Ф.И. Холуянов, заведовавший кафедрой с 1913 по 1936 гг. Только краткий перечень имен выпускников и преподавателей кафедры дает представление о ее значении для отечественной промышленности и науки. Это академик А.П. Костенко, чл.- корр. АН СССР А.Е. Алексеев, профессора В.Т. Касьянов, Р.А. Лютер, В.К. Горейличенко и ряд других.
В институте в разные годы работали выдающиеся математики России профессор К.А. Поссе, академик В.И. Смирнов, чл-корр. АН СССР А.Н. Кошляков, член-корр. АН СССР Г.В. Колосов, профессор Г.М. Фихтенгольц.
К середине 30-х годов в ЛЭТИ уже полностью сформировалось радиотехническое направление, за которым стояли выдающиеся организаторы науки, промышленности и высшего образования, началась подготовка в области автоматики, вычислительной техники и электроники.
В июне 1941 года началась Великая Отечественная война. Многие преподаватели, сотрудники и студенты института ушли на фронт. Многие сложили свои головы в боях за Отечество. Подразделения ЛЭТИ оказались раздробленными: основной коллектив после тяжелых испытаний оказался в Ташкенте, лаборатория высокочастотной электротермии профессора В.П. Вологдина – в Челябинске, лаборатория электроакустики и звуковой техники профессора С.Я. Соколова – в Горьком (Нижний Новгород). В осажденном Ленинграде оставалась группа ученых под руководством профессора С.А. Ринкевича. В апреле 1942 г. усилиями профессора С.А. Ринкевича в осажденном Ленинграде при ЛЭТИ было создано Бюро научно-исследовательских работ Наркомата судостроительной промышленности, выполнявшее работы по переоборудованию и ремонту электрических устройств судового оборудования. Профессор А.А. Алексеев на Ладоге организовал работы по сварке металлических конструкций причалов и судов, работавших на Дороге жизни.
В октябре 1943 г. в условиях блокады в ЛЭТИ начались занятия без отрыва от производства.
В 1956 г. кафедра приборов управления стрельбой (ПУС) была преобразована в кафедру счетно-решающей техники, а в 1960 г. получила название кафедры вычислительной техники. В развитие кафедры большой вклад внесли ее заведующие: профессора Я.В. Новосельцев и В.Б. Смолов. Благодаря усилиям профессоров А.Н. Лебедева, В.Б. Смолова, Е.П. Балашова, Е.П. Угрюмова и Д.В. Пузанкова, создавших известные научные школы, кафедра стала самой крупной, одной из ведущих в стране, длительное время осуществляющей подготовку инженеров-системотехников по разработке ЭВМ и инженеров-математиков по их применению и математическому обеспечению.
По инициативе академика А.И. Берга в ЛЭТИ в 1962 г. была создана первая в СССР кафедра электронно-медицинской аппаратуры, положившая начало биотехническому образованию в стране. Развитие кафедры связано с именем лауреата Ленинской и Государственной премий профессора В. М. Ахутина.
Во второй половине 70-х гг. в институте создаются базовые кафедры при ведущих научных и производственных предприятиях, в том числе и при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе. Базовые кафедры позволяли улучшить конструкторско-технологическую подготовку студентов, лучше знакомить их с производством.
Исследования широкого плана дали развитие ряду новых направлений, в том числе загоризонтной радиолокации (профессор В.М. Кутузов), электромагнитной совместимости (ЭМС) (профессор И.П. Харченко), рассеянию электромагнитных волн сложными целями (профессор В.В. Леонтьев). Начались исследования по обнаружению с помощью сейсмических волн (профессор А.Д. Викторов). Достижения в области научных исследований позволяли формировать новые направления и новые дисциплины в обучении.
В 50-60-е гг. в США и Западной Европе вновь усиливается интерес к проблеме электромагнитной совместимости (ЭМС). СССР отставал в работах по этой проблеме, что было связано с необходимостью восстанавливать разрушенное войной хозяйство. Была еще одна причина: в учебных планах подготовки инженеров в вузах проблема ЭМС не отражалась. Исключением являлся корабельный факультет ЛЭТИ. В 1986 г. Минвуз СССР определил ЛЭТИ головной организацией по проблеме ЭМС. Была создана научно-методическая комиссия по проблеме ЭМС (председатель профессор В.И. Винокуров). И с 1993 г. (раз в два года) на базе вуза проводятся международные симпозиумы по ЭМС, которые привлекают внимание специалистов из разных стран мира. В 1992 году институт получил статус технического университета. Развитие университета всегда связано с появлением научно-образовательных направлений, отвечающих требованиям общественного развития. 90-ые годы прошлого века ознаменовались новыми тенденциями высшего образования. Одной из них стал поворот в усилении гуманитарного образования. Первый гуманитарный факультет среди технических вузов страны возник в “Техническом университете “ЛЭТИ””. Сейчас это один из крупнейших гуманитарных факультетов в негуманитарных вузах города.
В 1995 г. Ученый совет ЭТУ утвердил "Положение о присуждении звания "Почетный доктор СПбГЭТУ"". Выдающийся ученый, лауреат Золотой медали им. А.С. Попова академик РАН В.А. Котельников стал первым Почетным доктором университета.
С 1999 года начал свое успешное развитие факультет экономики и менеджмента.
Введена новая структура многоуровневой подготовки специалистов: инженеров, бакалавров и магистров.
Выпускники ЛЭТИ являются специалистами с высокой инженерной и физико-математической культурой. Подтверждением этому является присуждение в 2000 г. Нобелевской премии по физике выпускнику ЛЭТИ, академику Ж.И. Алферову за работы, в рамках которых была решена проблема создания гетеролазерных структур.
В 2006 г. Ученый совет ЭТУ утвердил "Положение о присуждении звания «Почетный инженер-электрик СПбГЭТУ»".
История – это люди, и бесспорные достижения нашего университета - это результат деятельности многих его выпускников, профессоров и сотрудников.
Библиография
www.eltech.ru
В 30-е годы 20-го столетия в СССР была поставлена задача индустриализации народного хозяйства. Привлечение для этой цели зарубежных специалистов в условиях враждебных отношений между странами не давало гарантии успеха – были нужны свои, советские кадры. В странах Европы и САСШ уже существовал инструмент подготовки молодых учёных – аспирантура. Совет Народных комиссаров СССР принял решение создать аспирантуру в ведущих ВУЗах Советского Союза. В числе этих ВУЗов оказался и ЛЭТИ.
В нашем институте аспирантура открыта в 1930 году. До Великой Отечественной войны ежегодно осуществлялось зачисление пяти аспирантов. В военные годы приём в аспирантуру не проводился, но уже в 1945 году было принято сразу 11 человек. В первое послевоенное десятилетие приём постепенно увеличивался и составлял ежегодно 25-35 аспирантов. В подавляющем большинстве это были советские граждане, первым иностранцем стал в 1952 году аспирант из Румынской Народной Республики П. Драгическу, вслед за ним приехали учиться посланцы других стран народной демократии.
В 1962 г. по решению органов управления образованием под влиянием решений ХХII партсъезда численность ежегодно зачисляемых аспирантов увеличилась скачком с 76 чел. в 1961 г. до 126 в 1962 г. С 1970 г. аспирантура стала переходить на целевую подготовку. Основными потребителями кадров высшей квалификации стали предприятия и организации Министерств Радиопромышленности, Электронной промышленности, Судостроительной промышленности, Приборостроения, Оборонной промышленности, Связи, Электротехнической промышленности. Часть выпускников направлялась в учреждения Академии наук СССР и союзных республик. В 60-е – 70-е годы количество очных и заочных аспирантов было примерно равным. Одновременно широко практиковалась годичная стажировка перед поступлением в аспирантуру с целью увеличения задела по теме будущей диссертации: численность стажёров достигала ежегодно 20-25 человек, рекордным был 1981 год – стажировку прошли 29 человек. В аспирантуру принимались в основном люди со стажем работы, имеющие научные публикации. В результате – высокая результативность выпусков: с защитой диссертаций оканчивали обучение 50-60 % аспирантов.
Наряду с подготовкой научных кадров аспирантура является кузницей кадров педагогических. Практически все профессора и доценты СПбГЭТУ прошли обучение в аспирантуре, став лидерами научно-педагогических школ, авторами новых учебных курсов, учебников и монографий.
В 80-е годы при комплектовании аспирантуры начали возникать трудности. Численность аспирантов стала снижаться и к началу 90-х годов вернулась к цифре 60-70 чел., принимаемых ежегодно. Самым трудным оказался 1993 год, отмеченный внутриполитической нестабильностью в стране: в этом году начали обучаться всего 44 очных и 20 заочных аспиранта. К слову сказать, контрольные цифры, установленные Министерством, ЛЭТИ при этом выполнил – в Москве проводилась политика свёртывания приёма в аспирантуру. Нестабильность в Российской Федерации привела и к резкому сокращению приёма иностранных граждан. Начиная с 1995 года численность аспирантов вновь стала увеличиваться, а в 1997 г. произошёл «большой скачок» – количество мест, выделенных СПбГЭТУ возросло более, чем в 2 раза. При этом доля очных мест стала достигать 70-80 %. С 1989 года ВУЗам было разрешено принимать внеплановых аспирантов, впоследствии названных контрактными. В СПбГЭТУ максимальный ежегодный приём внеплановых аспирантов пришёлся на 1995 год – приступили к платному обучению 10 аспирантов. В дальнейшем численность «контрактников» уменьшилась из-за большого количества бюджетных мест.
С 1988 года ЛЭТИ освоил новую форму подготовки кадров высшей квалификации – была открыта докторантура. Ежегодный приём докторантов составлял от 4 до 7 человек, причём 40-60 % докторантов приходило из других регионов и организаций, остальные – из СПбГЭТУ. За 15 лет функционирования докторантуры прошли обучение несколько «контрактников». Завершило обучение и 7 иностранных докторантов.
В течение всех лет существования аспирантуры в ЛЭТИ-СПбГЭТУ состав аспирантов подтверждал, что наш ВУЗ является всероссийским и международным научным центром. Среди отечественных аспирантов – посланцы всех регионов РФ, вплоть до Дальнего Востока и Северного Кавказа, есть даже москвичи и жители Московской области. Количество иностранных государств, направивших учиться своих граждан в аспирантуру, достигло 65. Во многих случаях бывшие аспиранты ЭТУ возглавили ВУЗы и научные центры (например, филиал МАИ «Восход» в г. Байконуре, Республика Казахстан). Выпускники аспирантуры направляют молодёжь из своих организаций повышать квалификацию в СПбГЭТУ - ВУЗ, который в своё время взрастил их самих. Бывшие аспиранты возвращаются в стены ЭТУ, чтобы стать докторантами.
Среди стран, выпускники которых получили высшую квалификацию в СПбГЭТУ – все бывшие республики СССР и бывшие страны народной демократии, практически все арабские страны. Любопытно, что после объединения Германии сохранился приток немецких аспирантов в СПбГЭТУ: мало того, к нам приезжают на учёбу не только из восточных земель, ранее входивших в ГДР, но и с Рейна. Среди «экзотических» стран – Перу, Эквадор, Гватемала, Мадагаскар, Шри Ланка – причём среди иностранных аспирантов много ребят, приезжающих на учёбу на основе межправительственных соглашений.
В 2000-е годы на развитие аспирантуры и докторантуры влияли мощные процессы перестройки системы высшего образования – Инновационный образовательный проект (ИОП) 2007-2008 годов, Программа стратегического развития (ПСР), Проект повышения конкурентоспособности ведущих российских университетов ТОП 5-100. Существенным колебаниям подвергалась численность бюджетных мест в аспирантуре, выделяемых Министерством образования и науки РФ: в 2011 году – рекорд по численности (131 чел.), в 2007 г. – провал до 74 мест. На этом фоне администрация ВУЗа в 2005 году перестроила порядок распределения мест в аспирантуре между факультетами. Главным критерием стала эффективность аспирантуры (количество защит кандидатских диссертаций за предшествующий пятилетний период). Этот порядок действует и поныне.
Основной составляющей подготовки аспирантов является научная деятельность. Наряду с ней в 2011-2014 г. г. была выстроена учебная компонента, основанная вначале на Федеральных государственных требованиях (ФГТ) к содержанию аспирантской подготовки, а затем на Федеральных государственных образовательных стандартах (ФГОС). В настоящее время действуют учебные планы, утверждённые в 2014 году, с сентября 2017 года вводятся планы нового образца.
Современная аспирантура в СПбГЭТУ по палитре научных специальностей отражает университетский статус нашего ВУЗа: наряду с традиционными техническими и физико-математическими специальностями в СПбГЭТУ существуют аспирантские специальности, относящиеся к группам химических, экономических, филологических, социологических, политологических, философских наук.
www.eltech.ru
